MSC035SMA170B Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -60°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2759.23 грн |
| 25+ | 2450.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC035SMA170B Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MSC035SMA170B за ціною від 2011.37 грн до 2923.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC035SMA170B | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC035SMA170B | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247 |
на замовлення 592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| MSC035SMA170B | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||
 |
MSC035SMA170B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 200A; 370W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 370W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 45mΩ Pulsed drain current: 200A Gate charge: 178nC Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.7kV кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
MSC035SMA170B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 200A; 370W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 370W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 45mΩ Pulsed drain current: 200A Gate charge: 178nC Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.7kV |
товар відсутній |