MSC035SMA170B4 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2842.58 грн |
| 25+ | 2524.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC035SMA170B4 Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ), Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC035SMA170B4 за ціною від 2071.82 грн до 3918.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC035SMA170B4 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4 |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MSC035SMA170B4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MSC035SMA170B4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MSC035SMA170B4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MSC035SMA170B4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MSC035SMA170B4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
MSC035SMA170B4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||
| MSC035SMA170B4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 200A; 370W Mounting: THT Case: TO247-4 Power dissipation: 370W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 178nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 48A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| MSC035SMA170B4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 200A; 370W Mounting: THT Case: TO247-4 Power dissipation: 370W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 178nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 48A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |