MSC040SMA120B Microchip Technology
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1442.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC040SMA120B Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 323W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції MSC040SMA120B за ціною від 1316.13 грн до 2533.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC040SMA120B | Виробник : MICROCHIP |
 Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 323W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC040SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC040SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 323W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC040SMA120B | Виробник : Microsemi |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A Tube |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC040SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247 |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC040SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC040SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
MSC040SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| MSC040SMA120B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
MSC040SMA120B THT N channel transistors |
товару немає в наявності |