MSC040SMA120B Microchip Technology
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1220.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC040SMA120B Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 323W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC040SMA120B за ціною від 1165.11 грн до 2417.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC040SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC040SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 323W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC040SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247 |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC040SMA120B | Виробник : Microsemi |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC040SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC040SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC040SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
MSC040SMA120B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W Power dissipation: 323W Mounting: THT Case: TO247-3 Gate charge: 137nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 105A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
MSC040SMA120B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W Power dissipation: 323W Mounting: THT Case: TO247-3 Gate charge: 137nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 105A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |