Технічний опис MSC040SMA120B4 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 323W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції MSC040SMA120B4 за ціною від 1550.77 грн до 2660.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSC040SMA120B4 | Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MSC040SMA120B4 | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 323W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MSC040SMA120B4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 1825.17 грн |
| 10+ | 1687.89 грн |
| 30+ | 1646.21 грн |
| 60+ | 1550.77 грн |
| MSC040SMA120B4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2027.24 грн |
| MSC040SMA120B4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 2118.34 грн |
| MSC040SMA120B4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 2660.78 грн |
| MSC040SMA120B4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MSC040SMA120B4 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





