
MSC040SMA120B4 Microchip Technology

Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 323W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1333.78 грн |
25+ | 1184.45 грн |
100+ | 1030.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC040SMA120B4 Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 323W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC040SMA120B4 за ціною від 979.93 грн до 2295.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
MSC040SMA120B4 | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 323W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
MSC040SMA120B4 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |