MSC040SMA120B4

MSC040SMA120B4 MICROCHIP (MICROSEMI)


1244456-msc040sma120b4-datasheet Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W
Power dissipation: 323W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 137nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 105A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1496.35 грн
2+ 1313.67 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC040SMA120B4 MICROCHIP (MICROSEMI)

Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 323W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 323W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MSC040SMA120B4 за ціною від 1205.71 грн до 1807.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Виробник : Microchip Technology 1244456-msc040sma120b4-datasheet Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 323W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1705.78 грн
25+ 1514.56 грн
100+ 1317.76 грн
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Виробник : MICROCHIP 3683077.pdf Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 323W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1756.23 грн
25+ 1409.48 грн
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 1244456-msc040sma120b4-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W
Power dissipation: 323W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 137nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 105A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1795.62 грн
2+ 1637.03 грн
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Виробник : Microchip Technology Microsemi_MSC040SMA120B4_SiC_MOSFET_Datasheet_A-2934494.pdf MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1807.01 грн
10+ 1643 грн
120+ 1243.1 грн
510+ 1205.71 грн
MSC040SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc040sma120b_sic_mosfet_datasheet_revc.pdf UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1348.24 грн