MSC040SMA120B4 MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Family: SMA
Polarisation: unipolar
Gate charge: 137nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 323W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 105A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1210.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC040SMA120B4 MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 323W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC040SMA120B4 за ціною від 964.52 грн до 2383.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 323W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SiC Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Family: SMA Polarisation: unipolar Gate charge: 137nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 323W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 105A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 323W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
MSC040SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
товару немає в наявності |



