Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC040SMA120B4
MSC040SMA120B4

MSC040SMA120B4 MICROCHIP TECHNOLOGY


Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 105A
Power dissipation: 323W
Gate charge: 137nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Family: SMA
On-state resistance: 50mΩ
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1275.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC040SMA120B4 MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 323W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції MSC040SMA120B4 за ціною від 1284.36 грн до 2684.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Microchip Technology MSC040SMA120B_SiC_MOSFET_Datasheet.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
на замовлення 7 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1284.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Microchip Technology msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1660.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Microchip Technology msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1841.43 грн
10+1702.92 грн
30+1660.87 грн
60+1564.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Microchip Technology msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2045.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Microchip Technology msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2137.21 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Microchip Technology msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+2684.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 MICROCHIP 3683077.pdf Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B_SiC_MOSFET_Datasheet.pdf
MSC040SMA120B4
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
на замовлення 7 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1284.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf
MSC040SMA120B4
Виробник: Microchip Technology
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1660.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf
MSC040SMA120B4
Виробник: Microchip Technology
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1841.43 грн
10+1702.92 грн
30+1660.87 грн
60+1564.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf
MSC040SMA120B4
Виробник: Microchip Technology
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2045.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf
MSC040SMA120B4
Виробник: Microchip Technology
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+2137.21 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf
MSC040SMA120B4
Виробник: Microchip Technology
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+2684.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 3683077.pdf
MSC040SMA120B4
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.