Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC040SMA120B4
MSC040SMA120B4

MSC040SMA120B4 Microchip Technology

MSC040SMA120B_SiC_MOSFET_Datasheet.pdf Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1360.39 грн
10+1236.50 грн
30+935.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC040SMA120B4 Microchip Technology

Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 323W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції MSC040SMA120B4 за ціною від 1087.74 грн до 2339.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Виробник : Microchip Technology 1244456-msc040sma120b4-datasheet Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 323W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1407.47 грн
25+1249.89 грн
100+1087.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Виробник : Microchip Technology msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1446.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Виробник : Microchip Technology msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+1604.85 грн
10+1484.14 грн
30+1447.49 грн
60+1363.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Виробник : Microchip Technology msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+1782.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Виробник : Microchip Technology msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1862.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Виробник : MICROCHIP 3683077.pdf Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1902.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Виробник : Microchip Technology msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+2339.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 1244456-msc040sma120b4-datasheet MSC040SMA120B4 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1426.51 грн
3+1348.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc040sma120b_sic_mosfet_datasheet_revc.pdf UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Виробник : Microchip Technology msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4 MSC040SMA120B4 Виробник : Microchip Technology msc040sma120b-sic-mosfet-datasheet.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.