MSC040SMA120B4N Microchip Technology
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1339.93 грн |
| 30+ | 1218.38 грн |
| 120+ | 921.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC040SMA120B4N Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 372W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1962 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC040SMA120B4N за ціною від 1230.76 грн до 1386.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC040SMA120B4N | Виробник : Microchip Technology |
 Description: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 372W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1962 pF @ 1000 V |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
MSC040SMA120B4N | Виробник : Microchip Technology |
N-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |