MSC040SMA120J MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 37A; SOT227B; screw; Idm: 105A
Power dissipation: 208W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 37A
Drain-source voltage: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 50mΩ
Manufacturer standard package: 10pcs.
Pulsed drain current: 105A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2657.40 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC040SMA120J MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: SICFET N-CH 1200V 53A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC040SMA120J за ціною від 2002.08 грн до 4827.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC040SMA120J | Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 53A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
MSC040SMA120J | Microchip Technology |
MOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227 |
на замовлення 125 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||
 |
MSC040SMA120J | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MSC040SMA120J |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1200V 53A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
Description: SICFET N-CH 1200V 53A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2759.01 грн |
| 25+ | 2449.42 грн |
| 100+ | 2002.08 грн |
| MSC040SMA120J |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
MOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
на замовлення 125 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2989.66 грн |
| 10+ | 2716.51 грн |
| 100+ | 2055.76 грн |
| MSC040SMA120J |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin SOT-227 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 4827.75 грн |