MSC050SDA120BCT Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1200V 109A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 109A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2600.33 грн |
| 25+ | 2308.58 грн |
| 100+ | 2009.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC050SDA120BCT Microchip Technology
Description: DIODE SIL CARB 1200V 109A TO2473, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 109A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції MSC050SDA120BCT за ціною від 1914.06 грн до 2783.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC050SDA120BCT | Виробник : Microchip Technology |
SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-247 |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| MSC050SDA120BCT | Виробник : Microchip Technology |
SIC SBD 1200 V 50 A TO-247 |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
MSC050SDA120BCT | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-3; Ir: 250uA Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Technology: SiC Max. forward voltage: 2.1V Load current: 50A Max. forward impulse current: 290A Leakage current: 0.25mA Power dissipation: 186W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
MSC050SDA120BCT | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-3; Ir: 250uA Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Technology: SiC Max. forward voltage: 2.1V Load current: 50A Max. forward impulse current: 290A Leakage current: 0.25mA Power dissipation: 186W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT |
товару немає в наявності |