MSC060SMA070B Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 658.63 грн |
| 25+ | 585.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC060SMA070B Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 700V 39A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 143W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V.
Інші пропозиції MSC060SMA070B за ціною від 480.68 грн до 1310.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC060SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MSC060SMA070B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 700V Drain current: 28A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 143W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 100A |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MSC060SMA070B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 700V Drain current: 28A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 143W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MSC060SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MSC060SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MSC060SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MSC060SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MSC060SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
| MSC060SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 |
товар відсутній |