MSC060SMA070B4 Microchip Technology


MSC060SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC060SMA070B4 Microchip Technology

Description: TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 143W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V.

Інші пропозиції MSC060SMA070B4 за ціною від 385.26 грн до 433.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSC060SMA070B4 Microchip Technology Description: TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.76 грн
25+385.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070B4
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+433.76 грн
25+385.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.