MSC060SMA070B4 Microchip Technology
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 720.11 грн |
| 10+ | 675.14 грн |
| 30+ | 530.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC060SMA070B4 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC060SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 700 V, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 143W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MSC060SMA070B4 за ціною від 663.68 грн до 1054.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC060SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
 Description: TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC060SMA070B4 | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC060SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 700 V, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 143W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| MSC060SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MSC060SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MSC060SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MSC060SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MSC060SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| MSC060SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
MSC060SMA070B4 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 28A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 143W Case: TO247-4 On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
MSC060SMA070B4 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 28A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 143W Case: TO247-4 On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC |
товару немає в наявності |