MSC060SMA070S MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W; D3PAK
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 26A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 93A
Mounting: SMD
Case: D3PAK
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 609.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC060SMA070S MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: SICFET N-CH 700V 37A D3PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA (Typ), Supplier Device Package: D3Pak, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V.
Інші пропозиції MSC060SMA070S за ціною від 674.17 грн до 900.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC060SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-268 |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC060SMA070S | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W; D3PAK Drain-source voltage: 700V Drain current: 26A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 130W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 56nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 93A Mounting: SMD Case: D3PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC060SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 700V 37A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| MSC060SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| MSC060SMA070S | Виробник : Microsemi |
MSC060SMA070S |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| MSC060SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| MSC060SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
товару немає в наявності |