MSC080SMA120B4 MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W
Power dissipation: 200W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 64nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 90A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 868.75 грн |
| 3+ | 762.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC080SMA120B4 MICROCHIP (MICROSEMI)
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MSC080SMA120B4 за ціною від 638.24 грн до 1324.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC080SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC080SMA120B4 | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC080SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC080SMA120B4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W Power dissipation: 200W Mounting: THT Case: TO247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 64nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 90A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 26A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
| MSC080SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MSC080SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MSC080SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MSC080SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MSC080SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MSC080SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MSC080SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MSC080SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MSC080SMA120B4 | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
товар відсутній |