Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC080SMA120B4
MSC080SMA120B4

MSC080SMA120B4 MICROCHIP TECHNOLOGY

MSC080SMA120B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-4
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC080SMA120B4 MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції MSC080SMA120B4 за ціною від 538.78 грн до 1387.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSC080SMA120B4 MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology MSC080SMA120B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+727.70 грн
25+646.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology MSC080SMA120B_SiC_MOSFET_Datasheet-3444707.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+783.94 грн
30+712.01 грн
120+538.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 MSC080SMA120B4 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY MSC080SMA120B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-4
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+792.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 MSC080SMA120B4 Виробник : MICROCHIP 3683080.pdf Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1358.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+978.90 грн
14+926.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1046.58 грн
13+981.68 грн
30+866.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1048.83 грн
10+992.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1078.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1121.33 грн
10+1051.80 грн
30+928.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+1255.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1387.60 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.