Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC080SMA120B4
MSC080SMA120B4

MSC080SMA120B4 Microchip Technology

MSC080SMA120B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+748.56 грн
25+665.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC080SMA120B4 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції MSC080SMA120B4 за ціною від 554.23 грн до 1444.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSC080SMA120B4 MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology MSC080SMA120B_SiC_MOSFET_Datasheet-3444707.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+806.41 грн
30+732.42 грн
120+554.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 MSC080SMA120B4 Виробник : MICROCHIP 3683080.pdf Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1397.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY MSC080SMA120B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf MSC080SMA120B4 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+966.51 грн
2+835.48 грн
4+790.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+1018.81 грн
14+963.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1089.24 грн
13+1021.70 грн
30+902.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1091.58 грн
10+1032.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1122.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1167.05 грн
10+1094.68 грн
30+966.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+1306.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1444.17 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.