MSC080SMA120B Microchip Technology
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 982.83 грн |
| 30+ | 893.11 грн |
| 120+ | 675.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC080SMA120B Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції MSC080SMA120B за ціною від 731.60 грн до 1551.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
 Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC080SMA120B | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 13020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| MSC080SMA120B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
MSC080SMA120B THT N channel transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
MSC080SMA120B Код товару: 191923
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |