MSC080SMA120B Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 844.95 грн |
| 25+ | 750.04 грн |
| 100+ | 612.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC080SMA120B Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08, Rds(on)-Prüfspannung: 20, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MSC080SMA120B за ціною від 618.21 грн до 1499.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247 |
на замовлення 1685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC080SMA120B | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08 Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 13020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC080SMA120B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 91A; 200W Case: TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 26A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Gate charge: 64nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 91A |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC080SMA120B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 91A; 200W Case: TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 26A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Gate charge: 64nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 91A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MSC080SMA120B Код товару: 191923 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
 |
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
MSC080SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |