MSC080SMA120S MICROCHIP
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-268 (D3PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC080SMA120S MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-268 (D3PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції MSC080SMA120S за ціною від 698.33 грн до 1047.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC080SMA120S | Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC080SMA120S | Microchip Technology |
MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-268 |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| MSC080SMA120S |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
Description: SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1003.19 грн |
| 25+ | 890.65 грн |
| MSC080SMA120S |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-268
MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-268
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1047.73 грн |
| 10+ | 951.89 грн |
| 120+ | 720.13 грн |
| 510+ | 698.33 грн |