Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC080SMA330B4
MSC080SMA330B4

MSC080SMA330B4 Microchip Technology

00004397A_MSC080SMA330B4_SiC_MOSFET_Datasheet.PDF
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 381W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10241.18 грн
25+9095.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC080SMA330B4 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 3.3 kV, 0.084 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 381W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції MSC080SMA330B4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSC080SMA330B4 MSC080SMA330B4 Microchip Technology 00004397A_MSC080SMA330B4_SiC_MOSFET_Datasheet-3444263.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 3300 V 80 mOhm TO-247-4
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA330B4 MSC080SMA330B4 MICROCHIP 3743119.pdf Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 3.3 kV, 0.084 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 381W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA330B4 00004397A_MSC080SMA330B4_SiC_MOSFET_Datasheet-3444263.pdf
MSC080SMA330B4
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 3300 V 80 mOhm TO-247-4
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA330B4 3743119.pdf
MSC080SMA330B4
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 3.3 kV, 0.084 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 381W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.