Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC080SMA330B4N
MSC080SMA330B4N

MSC080SMA330B4N Microchip Technology

00004397A_MSC080SMA330B4_SiC_MOSFET_Datasheet.PDF
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 3300V 80 MOHM TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 381W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4306.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC080SMA330B4N Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 3.3 kV, 0.106 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 439W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: mSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm.

Інші пропозиції MSC080SMA330B4N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSC080SMA330B4N MSC080SMA330B4N Microchip Technology 00004397A_MSC080SMA330B4_SiC_MOSFET_Datasheet.PDF SiC MOSFETs MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA330B4N MSC080SMA330B4N MICROCHIP MSC080SMA330B4N-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 3.3 kV, 0.106 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 439W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA330B4N 00004397A_MSC080SMA330B4_SiC_MOSFET_Datasheet.PDF
MSC080SMA330B4N
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA330B4N MSC080SMA330B4N-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
MSC080SMA330B4N
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 3.3 kV, 0.106 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 439W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.