MSC080SMA330B4N Microchip Technology
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4823.72 грн |
| 30+ | 4385.08 грн |
| 120+ | 3317.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC080SMA330B4N Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 27A; Idm: 107A; 439W, Mounting: THT, Case: TO247-4, On-state resistance: 106mΩ, Kind of package: tube, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Type of transistor: N-MOSFET, Gate charge: 161nC, Power dissipation: 439W, Drain current: 27A, Drain-source voltage: 3.3kV, Pulsed drain current: 107A, Family: SMA, Polarisation: unipolar.
Інші пропозиції MSC080SMA330B4N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC080SMA330B4N | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 27A; Idm: 107A; 439W Mounting: THT Case: TO247-4 On-state resistance: 106mΩ Kind of package: tube Technology: SiC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 161nC Power dissipation: 439W Drain current: 27A Drain-source voltage: 3.3kV Pulsed drain current: 107A Family: SMA Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |