MSC080SMA330B4N Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 3300V 80 MOHM TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 381W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4279.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC080SMA330B4N Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 3300V 80 MOHM TO-247-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V, Power Dissipation (Max): 381W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V.
Інші пропозиції MSC080SMA330B4N за ціною від 3050.29 грн до 4434.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC080SMA330B4N | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| MSC080SMA330B4N | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 27A; Idm: 107A; 439W Power dissipation: 439W Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-4-notch Gate charge: 161nC On-state resistance: 106mΩ Drain current: 27A Pulsed drain current: 107A Drain-source voltage: 3.3kV Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Family: SMA Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |