Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > MSC090SMA070B

MSC090SMA070B

MSC090SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Код товару: 182114
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MSC090SMA070B за ціною від 256.42 грн до 289.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSC090SMA070B MSC090SMA070B Microchip Technology MSC090SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Description: SICFET N-CH 700V TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.17 грн
25+256.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B MICROCHIP 3683081.pdf Description: MICROCHIP - MSC090SMA070B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 700 V, 0.086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B Microchip Technology MSC090SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
MSC090SMA070B
Виробник: Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 700V TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.17 грн
25+256.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B 3683081.pdf
MSC090SMA070B
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC090SMA070B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 700 V, 0.086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
MSC090SMA070B
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.