MSC090SMA070B Microchip Technology
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 403.49 грн |
| 30+ | 366.92 грн |
| 120+ | 277.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC090SMA070B Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC090SMA070B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 700 V, 0.086 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції MSC090SMA070B за ціною від 368.54 грн до 824.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC090SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
 Description: SICFET N-CH 700V TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC090SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC090SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC090SMA070B | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC090SMA070B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 700 V, 0.086 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC090SMA070B | Виробник : Microsemi |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC090SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC090SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| MSC090SMA070B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
MSC090SMA070B THT N channel transistors |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
MSC090SMA070B Код товару: 182114
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
|
|
MSC090SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
MSC090SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |