Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC090SMA070B
MSC090SMA070B

MSC090SMA070B Microchip Technology

MSC090SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 700V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.74 грн
25+353.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC090SMA070B Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC090SMA070B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 700 V, 0.086 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції MSC090SMA070B за ціною від 360.92 грн до 828.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSC090SMA070B MSC090SMA070B Виробник : Microchip Technology microsemi_msc090sma070b_sic_mosfet_a.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+404.92 грн
30+364.53 грн
270+360.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B Виробник : Microchip Technology microsemi_msc090sma070b_sic_mosfet_a.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+436.07 грн
32+392.57 грн
270+388.68 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B Виробник : Microchip Technology MSC090SMA070B_SiC_MOSFET_Datasheet-3500219.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.47 грн
10+464.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY MSC090SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 20A; Idm: 69A; 90W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 20A
On-state resistance: 108mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.50 грн
2+483.16 грн
6+456.40 грн
25+455.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B Виробник : MICROCHIP MSC090SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Description: MICROCHIP - MSC090SMA070B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 700 V, 0.086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+585.36 грн
25+469.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B Виробник : Microsemi microsemi_msc090sma070b_sic_mosfet_a.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+616.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY MSC090SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 20A; Idm: 69A; 90W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 20A
On-state resistance: 108mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+640.19 грн
2+602.09 грн
6+547.68 грн
25+546.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B Виробник : Microchip Technology microsemi_msc090sma070b_sic_mosfet_a.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+828.78 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B Виробник : Microchip Technology microsemi_msc090sma070b_sic_mosfet_a.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B
Код товару: 182114
Додати до обраних Обраний товар

MSC090SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B Виробник : Microchip Technology microsemi_msc090sma070b_sic_mosfet_a.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B MSC090SMA070B Виробник : Microchip Technology microsemi_msc090sma070b_sic_mosfet_a.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.