MSC090SMA070S MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 91W
Case: D3PAK
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 485.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC090SMA070S MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W; D3PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 18A, Pulsed drain current: 65A, Power dissipation: 91W, Case: D3PAK, On-state resistance: 0.115Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 38nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSC090SMA070S за ціною від 478.09 грн до 697.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MSC090SMA070S | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 18A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 91W Case: D3PAK On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC090SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 700V D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| MSC090SMA070S | Виробник : Microsemi |
MSC090SMA070S |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| MSC090SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
MSC090SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268 |
товару немає в наявності |