Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC090SMA070SDT/R
MSC090SMA070SDT/R

MSC090SMA070SDT/R Microchip Technology

MSC090SMA070SD-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 806 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 15A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+295.24 грн
25+262.10 грн
100+260.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC090SMA070SDT/R Microchip Technology

Description: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 15A, 20V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 806 pF @ 700 V.

Інші пропозиції MSC090SMA070SDT/R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MSC090SMA070SDT/R MSC090SMA070SDT/R Microchip Technology MSC090SMA070SD-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Description: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 806 pF @ 700 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SDT/R MSC090SMA070SDT/R Microchip Technology MSC090SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-263-7 XL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SDT/R MSC090SMA070SD-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
MSC090SMA070SDT/R
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 806 pF @ 700 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SDT/R MSC090SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
MSC090SMA070SDT/R
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-263-7 XL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.