MSC100SM70JCU3 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V 124A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3858.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC100SM70JCU3 Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 700V 124A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 365W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA, Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V.
Інші пропозиції MSC100SM70JCU3 за ціною від 3142.45 грн до 4358.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC100SM70JCU3 | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC100SM70JCU3 | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| MSC100SM70JCU3 | Виробник : Microchip Technology |
UNRLS CC0135 |
товар відсутній |
||||||||||||
| MSC100SM70JCU3 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SOT227B; screw; Idm: 250A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 700V Drain current: 98A On-state resistance: 19mΩ Power dissipation: 365W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: buck chopper Pulsed drain current: 250A Case: SOT227B кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| MSC100SM70JCU3 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SOT227B; screw; Idm: 250A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 700V Drain current: 98A On-state resistance: 19mΩ Power dissipation: 365W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: buck chopper Pulsed drain current: 250A Case: SOT227B |
товар відсутній |