MSC180SMA120B Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Description: MOSFET 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 624.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC180SMA120B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 127W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 15A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 127W, Case: TO247-3, On-state resistance: 0.225Ω, Mounting: THT, Gate charge: 34nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSC180SMA120B за ціною від 460.83 грн до 963.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC180SMA120B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 127W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 127W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.225Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC180SMA120B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 127W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 127W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.225Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| MSC180SMA120B | Виробник : Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||
| MSC180SMA120B | Виробник : Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247 |
товар відсутній |