MSC180SMA120B Microchip Technology


MSC180SMA120B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 1200V 25A TO-247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 8A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+577.82 грн
25+513.19 грн
100+420.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC180SMA120B Microchip Technology

Description: MOSFET 1200V 25A TO-247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 8A, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції MSC180SMA120B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSC180SMA120B MSC180SMA120B Microchip Technology MSC180SMA120B_SiC_MOSFET_Datasheet.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC180SMA120B MSC180SMA120B_SiC_MOSFET_Datasheet.pdf
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.