MSC180SMA120S Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 8A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.26V @ 500µA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 1000 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 639.68 грн |
| 25+ | 568.79 грн |
| 100+ | 495.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC180SMA120S Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 8A, 20V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.26V @ 500µA, Supplier Device Package: D3Pak, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC180SMA120S за ціною від 511.24 грн до 1064.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC180SMA120S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D3PAK On-state resistance: 0.225Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC180SMA120S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D3PAK On-state resistance: 0.225Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| MSC180SMA120S | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-268 |
товар відсутній |