Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MSC2712GT1G
MSC2712GT1G

MSC2712GT1G ON Semiconductor

msc2712gt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.23 грн
9000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC2712GT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MSC2712GT1G за ціною від 2.11 грн до 16.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSC2712GT1G MSC2712GT1G ON Semiconductor msc2712gt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+2.23 грн
9000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 6303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G MSC2712GT1G onsemi msc2712gt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
Supplier Device Package: SC-59
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.28 грн
6000+2.83 грн
9000+2.66 грн
15000+2.32 грн
21000+2.21 грн
30000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G MSC2712GT1G onsemi msc2712gt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.16 грн
32+9.56 грн
100+5.91 грн
500+4.07 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G MSC2712GT1G onsemi MSC2712GT1_D-1811719.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 20573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G MSC2712GT1G ONSEMI 2578349.pdf Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G MSC2712GT1G ONSEMI 2578349.pdf Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G ON msc2712gt1-d.pdf 05+ SOT-23
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G ONSEMI msc2712gt1-d.pdf Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 721806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G msc2712gt1-d.pdf
MSC2712GT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6303+2.23 грн
9000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 6303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G msc2712gt1-d.pdf
MSC2712GT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
Supplier Device Package: SC-59
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.28 грн
6000+2.83 грн
9000+2.66 грн
15000+2.32 грн
21000+2.21 грн
30000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G msc2712gt1-d.pdf
MSC2712GT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.16 грн
32+9.56 грн
100+5.91 грн
500+4.07 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G MSC2712GT1_D-1811719.pdf
MSC2712GT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 20573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G 2578349.pdf
MSC2712GT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G 2578349.pdf
MSC2712GT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G msc2712gt1-d.pdf
Виробник: ON
05+ SOT-23
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC2712GT1G msc2712gt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 721806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.