MSC360SMA120B Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.14V @ 500µA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 1000 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 445.26 грн |
| 25+ | 395.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC360SMA120B Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-24, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 20V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.14V @ 500µA (Typ), Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC360SMA120B за ціною від 330.67 грн до 592.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC360SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-247 |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC360SMA120B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 28A; 78W; SMA Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Kind of package: tube Family: SMA Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC On-state resistance: 0.45Ω Power dissipation: 78W Drain current: 8A Pulsed drain current: 28A Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO247-3 |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC360SMA120B | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
MOSFET MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-247 |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC360SMA120B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 28A; 78W; SMA Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Kind of package: tube Family: SMA Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC On-state resistance: 0.45Ω Power dissipation: 78W Drain current: 8A Pulsed drain current: 28A Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|