MSC360SMA120S Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 1000 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 522.81 грн |
| 25+ | 463.99 грн |
| 100+ | 404.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC360SMA120S Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 20V, Power Dissipation (Max): 82W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC360SMA120S за ціною від 562.58 грн до 675.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC360SMA120S | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 27A; 71W; SMA Mounting: SMD Case: D3PAK; TO268 Kind of package: tube Gate charge: 21nC On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 8A Pulsed drain current: 27A Power dissipation: 71W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: SiC Type of transistor: N-MOSFET Family: SMA Polarisation: unipolar |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
|
|
MSC360SMA120S | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 27A; 71W; SMA Mounting: SMD Case: D3PAK; TO268 Kind of package: tube Gate charge: 21nC On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 8A Pulsed drain current: 27A Power dissipation: 71W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: SiC Type of transistor: N-MOSFET Family: SMA Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||
| MSC360SMA120S | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-268 |
товару немає в наявності |
||||||
| MSC360SMA120S | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-268 |
товару немає в наявності |