MSC360SMA120SCT/RM MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 27A; 104W; SMA
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
Case: PSMT-16L
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 104W
Drain-source voltage: 1.2kV
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 27A; 104W; SMA
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
Case: PSMT-16L
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 104W
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 414.39 грн |
| 10+ | 346.07 грн |
| 25+ | 305.69 грн |
| 100+ | 275.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC360SMA120SCT/RM MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 27A; 104W; SMA, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Type of transistor: N-MOSFET, Family: SMA, Case: PSMT-16L, Kind of package: reel; tape, Technology: SiC, Gate charge: 21nC, On-state resistance: 0.45Ω, Drain current: 9A, Pulsed drain current: 27A, Power dissipation: 104W, Drain-source voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSC360SMA120SCT/RM за ціною від 330.25 грн до 497.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MSC360SMA120SCT/RM | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 27A; 104W; SMA Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Family: SMA Case: PSMT-16L Kind of package: reel; tape Technology: SiC Gate charge: 21nC On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 9A Pulsed drain current: 27A Power dissipation: 104W Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|