Продукція > MICROCHIP > MSC400SMA330B4
MSC400SMA330B4

MSC400SMA330B4 MICROCHIP

3743121.pdf Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC400SMA330B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 3.3 kV, 0.416 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.416ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2331.35 грн
25+2180.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC400SMA330B4 MICROCHIP

Description: MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5A, 20V, Power Dissipation (Max): 131W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 579 pF @ 2400 V.

Інші пропозиції MSC400SMA330B4 за ціною від 1847.23 грн до 2909.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSC400SMA330B4 MSC400SMA330B4 Виробник : Microchip Technology 00004433A_MSC400SMA330B4_SiC_MOSFET_Datasheet.PDF Description: MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 579 pF @ 2400 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2418.75 грн
25+2146.99 грн
100+1868.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC400SMA330B4 MSC400SMA330B4 Виробник : Microchip Technology 00004433A_MSC400SMA330B4_SiC_MOSFET_Datasheet-3444250.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 3300 V 400 mOhm TO-247-4
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2686.17 грн
30+2441.18 грн
120+1847.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC400SMA330B4 MSC400SMA330B4 Виробник : Microchip Technology / Atmel 00004433A_MSC400SMA330B4_SiC_MOSFET_Datasheet-2934502.pdf MOSFET 3300 V, 400 mO SiC N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2909.87 грн
25+2644.33 грн
100+2112.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC400SMA330B4 Виробник : Microchip Technology 00004433A_MSC400SMA330B4_SiC_MOSFET_Datasheet.PDF MOSFET SIC 3300 V 400 mOhm TO-247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC400SMA330B4 Виробник : Microchip Technology 00004433A_MSC400SMA330B4_SiC_MOSFET_Datasheet.PDF MOSFET SIC 3300 V 400 mOhm TO-247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.