MSC400SMA330B4 MICROCHIP
Виробник: MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC400SMA330B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 3.3 kV, 0.416 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.416ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2039.86 грн |
| 25+ | 1907.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC400SMA330B4 MICROCHIP
Description: MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5A, 20V, Power Dissipation (Max): 131W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 579 pF @ 2400 V.
Інші пропозиції MSC400SMA330B4 за ціною від 1636.62 грн до 2546.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC400SMA330B4 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5A, 20V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 579 pF @ 2400 V |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC400SMA330B4 | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
MOSFET 3300 V, 400 mO SiC N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| MSC400SMA330B4 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET SIC 3300 V 400 mOhm TO-247-4 |
товар відсутній |
||||||||||
| MSC400SMA330B4 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET SIC 3300 V 400 mOhm TO-247-4 |
товар відсутній |
||||||||||
| MSC400SMA330B4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 7A; Idm: 27A; 131W Case: TO247-4 Drain-source voltage: 3.3kV Drain current: 7A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 131W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 37nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 27A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
| MSC400SMA330B4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 7A; Idm: 27A; 131W Case: TO247-4 Drain-source voltage: 3.3kV Drain current: 7A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 131W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 37nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 27A Mounting: THT |
товар відсутній |