Продукція > MICROCHIP > MSC400SMA330B4N
MSC400SMA330B4N

MSC400SMA330B4N MICROCHIP

MSC400SMA330B4N-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC400SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 3.3 kV, 0.5 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1311.92 грн
25+1261.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC400SMA330B4N MICROCHIP

Description: MICROCHIP - MSC400SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 3.3 kV, 0.5 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: mSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції MSC400SMA330B4N за ціною від 1488.69 грн до 1488.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSC400SMA330B4N MICROCHIP TECHNOLOGY product-ds.MSC400SMA330.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 7A; Idm: 27A; 150W; SMA
Power dissipation: 150W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4-notch
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 3.3kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Family: SMA
Polarisation: unipolar
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1488.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC400SMA330B4N product-ds.MSC400SMA330.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 7A; Idm: 27A; 150W; SMA
Power dissipation: 150W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4-notch
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 3.3kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Family: SMA
Polarisation: unipolar
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1488.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.