Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC400SMA330B4N

MSC400SMA330B4N MICROCHIP TECHNOLOGY

product-ds.MSC400SMA330.pdf Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 7A; Idm: 27A; 150W; SMA
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
Case: TO247-4-notch
Kind of package: tube
Technology: SiC
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 3.3kV
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1440.17 грн
10+1203.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC400SMA330B4N MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MOSFET SIC 3300V 400 MOHM TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5A, 20V, Power Dissipation (Max): 131W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 579 pF @ 2.4 kV.

Інші пропозиції MSC400SMA330B4N за ціною від 1086.65 грн до 1728.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSC400SMA330B4N Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY product-ds.MSC400SMA330.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 7A; Idm: 27A; 150W; SMA
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
Case: TO247-4-notch
Kind of package: tube
Technology: SiC
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 3.3kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1728.21 грн
10+1499.12 грн
30+1282.43 грн
120+1150.92 грн
300+1086.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC400SMA330B4N MSC400SMA330B4N Виробник : Microchip Technology 00004433a_msc400sma330b4_sic_mosfet_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 11A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC400SMA330B4N MSC400SMA330B4N Виробник : Microchip Technology product-ds.MSC400SMA330.pdf Description: MOSFET SIC 3300V 400 MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 579 pF @ 2.4 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC400SMA330B4N MSC400SMA330B4N Виробник : Microchip Technology product-ds.MSC400SMA330.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 3300V 400 mOhm TO-247-4L-Notch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.