MSC40SM120JCU2 Microchip Technology
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2979.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC40SM120JCU2 Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1.2KV 55A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC40SM120JCU2 за ціною від 3707.44 грн до 3707.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC40SM120JCU2 | Виробник : Microchip Technology |
 Description: SICFET N-CH 1.2KV 55A SOT227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| MSC40SM120JCU2 | Виробник : Microchip Technology |
Boost Chopper SiC MOSFET Power Module |
товару немає в наявності |