MSC750SMA170B MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 12A; 68W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 940mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 393.54 грн |
| 3+ | 342.49 грн |
| 8+ | 323.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC750SMA170B MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - MSC750SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 0.75 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції MSC750SMA170B за ціною від 297.97 грн до 472.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC750SMA170B | Виробник : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 2.5A, 20V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 100µA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 1360 V |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC750SMA170B | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC750SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 0.75 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC750SMA170B | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC750SMA170B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 12A; 68W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 5A On-state resistance: 940mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 12A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC750SMA170B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |