MSC750SMA170B Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 2.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 100µA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 1360 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 360.71 грн |
| 25+ | 320.75 грн |
| 100+ | 279.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC750SMA170B Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC750SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 0.75 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MSC750SMA170B за ціною від 269.69 грн до 453.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC750SMA170B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 12A; 68W Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 68W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.7kV Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 940mΩ Pulsed drain current: 12A |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC750SMA170B | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC750SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 0.75 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC750SMA170B | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC750SMA170B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 12A; 68W Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 68W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.7kV Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 940mΩ Pulsed drain current: 12A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC750SMA170B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |