Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC750SMA170B4
MSC750SMA170B4

MSC750SMA170B4 Microchip Technology

Microsemi_SiC_Product_Brochure.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS SJT 1700V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 2.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 100µA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 1360 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+380.26 грн
25+337.15 грн
100+293.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC750SMA170B4 Microchip Technology

Description: TRANS SJT 1700V TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 2.5A, 20V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 100µA (Typ), Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 1360 V.

Інші пропозиції MSC750SMA170B4 за ціною від 274.98 грн до 447.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSC750SMA170B4 MSC750SMA170B4 Microchip Technology Microsemi_SiC_Product_Brochure.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247-4
на замовлення 202 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+411.25 грн
10+374.26 грн
120+283.02 грн
510+274.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC750SMA170B4 MSC750SMA170B4 MICROCHIP TECHNOLOGY MSC750SMA170B4.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 12A; 68W; SMA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 68W
Case: TO247-4
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 12A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Family: SMA
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+447.94 грн
3+415.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC750SMA170B4 Microsemi_SiC_Product_Brochure.pdf
MSC750SMA170B4
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247-4
на замовлення 202 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+411.25 грн
10+374.26 грн
120+283.02 грн
510+274.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC750SMA170B4 MSC750SMA170B4.PDF
MSC750SMA170B4
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 12A; 68W; SMA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 68W
Case: TO247-4
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 12A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Family: SMA
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+447.94 грн
3+415.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.