Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC750SMA170B4
MSC750SMA170B4

MSC750SMA170B4 Microchip Technology

Microsemi_SiC_Product_Brochure.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS SJT 1700V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 2.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 100µA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 1360 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.00 грн
25+348.86 грн
100+303.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC750SMA170B4 Microchip Technology

Description: TRANS SJT 1700V TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 2.5A, 20V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 100µA (Typ), Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 1360 V.

Інші пропозиції MSC750SMA170B4 за ціною від 294.14 грн до 581.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSC750SMA170B4 MSC750SMA170B4 Виробник : Microchip Technology Microsemi_MSC750SMA170B_SiC_MOSFET_Datasheet_B-3444400.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247-4
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+427.40 грн
30+388.95 грн
120+294.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC750SMA170B4 MSC750SMA170B4 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD85E2648BBE8A80D2&compId=MSC750SMA170B4.PDF?ci_sign=a2df3c2cd9ca4392ac5e1c4dffd9da5d053305e5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 12A; 68W; SMA
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Family: SMA
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
Gate charge: 11nC
Power dissipation: 68W
On-state resistance: 940mΩ
Pulsed drain current: 12A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.29 грн
3+421.98 грн
7+399.02 грн
30+383.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC750SMA170B4 MSC750SMA170B4 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD85E2648BBE8A80D2&compId=MSC750SMA170B4.PDF?ci_sign=a2df3c2cd9ca4392ac5e1c4dffd9da5d053305e5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 12A; 68W; SMA
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Family: SMA
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
Gate charge: 11nC
Power dissipation: 68W
On-state resistance: 940mΩ
Pulsed drain current: 12A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+581.14 грн
3+525.86 грн
7+478.83 грн
30+460.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC750SMA170B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc750sma170b4_sic_mosfet_datasheet_a.pdf MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.