MSC750SMA170S Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: TRANS SJT 1700V D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Supplier Device Package: D3Pak
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 411.01 грн |
| 25+ | 364.84 грн |
| 100+ | 316.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC750SMA170S Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 12A; 63W; D3PAK, Mounting: SMD, Case: D3PAK, Power dissipation: 63W, Gate charge: 18nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Drain current: 4A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 1.7kV, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 940mΩ, Pulsed drain current: 12A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSC750SMA170S за ціною від 298.25 грн до 446.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC750SMA170S | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268 |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC750SMA170S | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin(2+Tab) D3PAK |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
MSC750SMA170S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 12A; 63W; D3PAK Mounting: SMD Case: D3PAK Power dissipation: 63W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 4A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.7kV Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 940mΩ Pulsed drain current: 12A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
MSC750SMA170S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 12A; 63W; D3PAK Mounting: SMD Case: D3PAK Power dissipation: 63W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 4A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.7kV Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 940mΩ Pulsed drain current: 12A |
товар відсутній |