MSCDC150KK120D1PAG Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: DIODE MODULE SIC 1200V 150A D1P
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: D1P
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 1200 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15744.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCDC150KK120D1PAG Microchip Technology
Description: DIODE MODULE SIC 1200V 150A D1P, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A, Supplier Device Package: D1P, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції MSCDC150KK120D1PAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSCDC150KK120D1PAG | Виробник : Microchip Technology |
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P |
товару немає в наявності |
|
| MSCDC150KK120D1PAG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 1.2kV; 150A; D1P; screw; SiC Case: D1P Technology: SiC Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: common cathode; double Load current: 150A Max. off-state voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |