MSCDC200H170AG Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A
Current - Average Rectified (Io): 200 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SP6
Technology: Silicon Carbide Schottky
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1700 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCDC200H170AG Microchip Technology
Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A, Current - Average Rectified (Io): 200 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV, Part Status: Active, Supplier Device Package: SP6, Technology: Silicon Carbide Schottky, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції MSCDC200H170AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
MSCDC200H170AG | Microchip Technology |
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSCDC200H170AG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.


.jpg)
