.jpg "MSCDC200H170AG")
MSCDC200H170AG Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SP6
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV
Current - Average Rectified (Io): 200 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1700 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 76124.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCDC200H170AG Microchip Technology
Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide Schottky, Supplier Device Package: SP6, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV, Current - Average Rectified (Io): 200 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції MSCDC200H170AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MSCDC200H170AG | Виробник : Microchip Technology |
SiC Diode Full Bridge Power Module |
товару немає в наявності |
||
 |
MSCDC200H170AG | Виробник : Microchip Technology |
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C |
товару немає в наявності |