MSCDC50H1701AG Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV
Technology: Silicon Carbide Schottky
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCDC50H1701AG Microchip Technology
Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Average Rectified (Io): 50 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV, Technology: Silicon Carbide Schottky.
Інші пропозиції MSCDC50H1701AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
MSCDC50H1701AG | Microchip Technology |
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MSCDC50H1701AG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


.jpg)
