MSCDC50X1201AG Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11033.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCDC50X1201AG Microchip Technology
Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Three Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide Schottky, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV, Current - Average Rectified (Io): 50 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції MSCDC50X1201AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSCDC50X1201AG | Виробник : Microchip Technology |
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F |
товару немає в наявності |