.jpg "MSCDC50X1701AG")
MSCDC50X1701AG Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV
Technology: Silicon Carbide Schottky
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Three Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCDC50X1701AG Microchip Technology
Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Average Rectified (Io): 50 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV, Technology: Silicon Carbide Schottky, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Diode Type: Three Phase, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tube.
Інші пропозиції MSCDC50X1701AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSCDC50X1701AG | Microchip Technology |
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSCDC50X1701AG |
|
Виробник: Microchip Technology
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.