MSCDC50X701AG Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 700V 50A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 700 V
Technology: Silicon Carbide Schottky
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Three Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCDC50X701AG Microchip Technology
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 700V 50A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Average Rectified (Io): 50 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 700 V, Technology: Silicon Carbide Schottky, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Diode Type: Three Phase, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tube.
Інші пропозиції MSCDC50X701AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
MSCDC50X701AG | Microchip Technology |
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSCDC50X701AG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.



