MSCGLQ50DH120CTBL2NG Microchip Technology
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12742.51 грн |
| 100+ | 9331.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCGLQ50DH120CTBL2NG Microchip Technology
Description: PM-IGBT-SBD-BL2, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Asymmetrical Bridge, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 375 W, Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77 nF @ 25 V.
Інші пропозиції MSCGLQ50DH120CTBL2NG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MSCGLQ50DH120CTBL2NG | Виробник : Microchip Technology |
 Description: PM-IGBT-SBD-BL2Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Asymmetrical Bridge Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 375 W Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |