MSCSM120AM03CT6LIAG Microchip Technology
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 69074.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120AM03CT6LIAG Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 805A SP6C LI, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N Channel (Phase Leg), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 3.215kW (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 805A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30200pF @ 1kV, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 400A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2320nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA, Supplier Device Package: SP6C LI, Part Status: Active.
Інші пропозиції MSCSM120AM03CT6LIAG за ціною від 99807.32 грн до 99807.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSCSM120AM03CT6LIAG | Виробник : Microchip Technology |
 Description: MOSFET 2N-CH 1200V 805A SP6C LIPackaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 3.215kW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 805A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30200pF @ 1kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 400A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2320nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA Supplier Device Package: SP6C LI Part Status: Active |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|