MSCSM120AM08CT3AG Microchip Technology
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40817.10 грн |
| 100+ | 29888.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120AM08CT3AG Microchip Technology
Description: SIC 2N-CH 1200V 337A SP3F, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N Channel (Phase Leg), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 1.409kW (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 337A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.08pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 160A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 928nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 4mA, Supplier Device Package: SP3F, Part Status: Active.
Інші пропозиції MSCSM120AM08CT3AG за ціною від 43791.95 грн до 43791.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MSCSM120AM08CT3AG | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
 Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F |
на замовлення 2 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
||||
| MSCSM120AM08CT3AG | Виробник : Microchip Technology |
Phase Leg Sic Mosfet Power Module |
товару немає в наявності |
||||||
| MSCSM120AM08CT3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 268A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 675A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 268A On-state resistance: 7.8mΩ Power dissipation: 1409W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
MSCSM120AM08CT3AG | Виробник : Microchip Technology |
Description: SIC 2N-CH 1200V 337A SP3F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1.409kW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 337A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.08pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 160A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 928nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 4mA Supplier Device Package: SP3F Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||
| MSCSM120AM08CT3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 268A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 675A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 268A On-state resistance: 7.8mΩ Power dissipation: 1409W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товару немає в наявності |