MSCSM120AM11T3AG Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: PM-MOSFET-SIC-SP3F
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 696nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 120A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9060pF @ 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 254A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 1.067kW (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120AM11T3AG Microchip Technology
Description: PM-MOSFET-SIC-SP3F, Part Status: Active, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 9mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 696nC @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 120A, 20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9060pF @ 1000V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 254A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Power - Max: 1.067kW (Tc), Technology: Silicon Carbide (SiC), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N Channel (Phase Leg), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MSCSM120AM11T3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSCSM120AM11T3AG | Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SP3F |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSCSM120AM11T3AG |
|
Виробник: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SP3F
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SP3F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.