MSCSM120AM31CT1AG Microchip Technology / Atmel
на замовлення 7 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9783.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120AM31CT1AG Microchip Technology / Atmel
Description: SIC 2N-CH 1200V 89A SP1F, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N Channel (Phase Leg), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 395W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: SP1F.
Інші пропозиції MSCSM120AM31CT1AG за ціною від 9472.71 грн до 10201.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSCSM120AM31CT1AG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A 12-Pin Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| MSCSM120AM31CT1AG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A 12-Pin Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
MSCSM120AM31CT1AG Код товару: 191184 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||
| MSCSM120AM31CT1AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 71A; SP1F; Press-in PCB; 395W Case: SP1F Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 180A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 71A On-state resistance: 31mΩ Power dissipation: 395W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
| MSCSM120AM31CT1AG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A 12-Pin Tube |
товар відсутній |
||||||
| MSCSM120AM31CT1AG | Виробник : Microchip Technology |
UNRLS CC8152 |
товар відсутній |
||||||
 |
MSCSM120AM31CT1AG | Виробник : Microchip Technology |
Description: SIC 2N-CH 1200V 89A SP1F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 395W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SP1F |
товар відсутній |
|||||
| MSCSM120AM31CT1AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 71A; SP1F; Press-in PCB; 395W Case: SP1F Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 180A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 71A On-state resistance: 31mΩ Power dissipation: 395W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC |
товар відсутній |