Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY / ATMEL > MSCSM120AM31CT1AG
MSCSM120AM31CT1AG

MSCSM120AM31CT1AG Microchip Technology / Atmel

Microsemi_MSCSM120AM31CT1AG_Phase_Leg_SiC_MOSFET-1855496.pdf Виробник: Microchip Technology / Atmel
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F
на замовлення 7 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11248.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSCSM120AM31CT1AG Microchip Technology / Atmel

Description: SIC 2N-CH 1200V 89A SP1F, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N Channel (Phase Leg), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 395W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: SP1F.

Інші пропозиції MSCSM120AM31CT1AG за ціною від 10845.41 грн до 11620.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSCSM120AM31CT1AG Виробник : Microchip Technology microsemi_mscsm120am31ct1ag_phase_leg_sic_mosfet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A 12-Pin Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+10845.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM120AM31CT1AG Виробник : Microchip Technology microsemi_mscsm120am31ct1ag_phase_leg_sic_mosfet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A 12-Pin Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11620.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM120AM31CT1AG
Код товару: 191184
Додати до обраних Обраний товар

1244782-mscsm120am31ct1ag-datasheet Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM120AM31CT1AG Виробник : Microchip Technology microsemi_mscsm120am31ct1ag_phase_leg_sic_mosfet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A 12-Pin Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM120AM31CT1AG Виробник : Microchip Technology 1244782-mscsm120am31ct1ag-datasheet UNRLS CC8152
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM120AM31CT1AG MSCSM120AM31CT1AG Виробник : Microchip Technology 1244782-mscsm120am31ct1ag-datasheet Description: SIC 2N-CH 1200V 89A SP1F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 395W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SP1F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM120AM31CT1AG Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 1244782-mscsm120am31ct1ag-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 71A; SP1F; Press-in PCB; 395W
Case: SP1F
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 395W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.