Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MSCSM120AM31CT1AG за ціною від 10242.77 грн до 12227.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSCSM120AM31CT1AG | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
 Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F |
на замовлення 7 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
||||
| MSCSM120AM31CT1AG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A 12-Pin Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| MSCSM120AM31CT1AG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A 12-Pin Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| MSCSM120AM31CT1AG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A 12-Pin Tube |
товару немає в наявності |
||||||
 |
MSCSM120AM31CT1AG | Виробник : Microchip Technology |
Description: SIC 2N-CH 1200V 89A SP1F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 395W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SP1F |
товару немає в наявності |