Продукція > Транзистори > IGBT > MSCSM120AM31CT1AG

MSCSM120AM31CT1AG

1244782-mscsm120am31ct1ag-datasheet
Код товару: 191184
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MSCSM120AM31CT1AG за ціною від 7152.11 грн до 12365.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSCSM120AM31CT1AG MSCSM120AM31CT1AG Microchip Technology 1244782-mscsm120am31ct1ag-datasheet Description: MOSFET 2N-CH 1200V 89A SP1F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 395W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SP1F
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7152.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM120AM31CT1AG MSCSM120AM31CT1AG Microchip Technology / Atmel Microsemi_MSCSM120AM31CT1AG_Phase_Leg_SiC_MOSFET-1855496.pdf Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F
на замовлення 7 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM120AM31CT1AG Microchip Technology microsemi_mscsm120am31ct1ag_phase_leg_sic_mosfet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A 12-Pin Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12365.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM120AM31CT1AG Microchip Technology microsemi_mscsm120am31ct1ag_phase_leg_sic_mosfet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A 12-Pin Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12365.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM120AM31CT1AG 1244782-mscsm120am31ct1ag-datasheet
MSCSM120AM31CT1AG
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 89A SP1F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 395W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SP1F
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7152.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM120AM31CT1AG Microsemi_MSCSM120AM31CT1AG_Phase_Leg_SiC_MOSFET-1855496.pdf
MSCSM120AM31CT1AG
Виробник: Microchip Technology / Atmel
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F
на замовлення 7 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM120AM31CT1AG microsemi_mscsm120am31ct1ag_phase_leg_sic_mosfet.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A 12-Pin Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12365.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM120AM31CT1AG microsemi_mscsm120am31ct1ag_phase_leg_sic_mosfet.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A 12-Pin Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+12365.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.