MSCSM120DAM11CT3AG Microchip Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14045.22 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120DAM11CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 202A, Case: SP3F, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Electrical mounting: Press-in PCB, On-state resistance: 10.4mΩ, Pulsed drain current: 500A, Power dissipation: 1067W, Technology: SiC, Mechanical mounting: screw.
Інші пропозиції MSCSM120DAM11CT3AG за ціною від 18851.51 грн до 18851.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSCSM120DAM11CT3AG | Microchip Technology |
 Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3FPackaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Type: MOSFET Configuration: 1 Phase Voltage - Isolation: 4000Vrms Current: 254 A Voltage: 1.2 kV |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MSCSM120DAM11CT3AG |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: 1 Phase
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Current: 254 A
Voltage: 1.2 kV
Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: 1 Phase
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Current: 254 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 18851.51 грн |