MSCSM120DAM11CT3AG Microchip Technology
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15375.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120DAM11CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB, Case: SP3F, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Pulsed drain current: 500A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 202A, On-state resistance: 10.4mΩ, Power dissipation: 1067W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSCSM120DAM11CT3AG за ціною від 19159.91 грн до 19159.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSCSM120DAM11CT3AG | Виробник : Microchip Technology |
 Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3FPackaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Type: MOSFET Configuration: 1 Phase Voltage - Isolation: 4000Vrms Current: 254 A Voltage: 1.2 kV |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| MSCSM120DAM11CT3AG | Виробник : Microchip Technology |
Boost Chopper Sic Mosfet Power Module |
товару немає в наявності |
||||||
| MSCSM120DAM11CT3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Topology: boost chopper; NTC thermistor Pulsed drain current: 500A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 202A On-state resistance: 10.4mΩ Power dissipation: 1067W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
| MSCSM120DAM11CT3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Topology: boost chopper; NTC thermistor Pulsed drain current: 500A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 202A On-state resistance: 10.4mΩ Power dissipation: 1067W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: SiC |
товару немає в наявності |