.jpg "MSCSM120HM16CT3AG")
MSCSM120HM16CT3AG Microchip Technology
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 37393.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120HM16CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP3F; Press-in PCB, Case: SP3F, Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Pulsed drain current: 350A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 138A, On-state resistance: 16mΩ, Power dissipation: 745W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSCSM120HM16CT3AG за ціною від 26857.84 грн до 38752.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSCSM120HM16CT3AG | Виробник : Microchip Technology |
 Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| MSCSM120HM16CT3AG | Виробник : Microchip Technology |
Full Bridge Sic Mosfet Power Module |
товар відсутній |
||||||||||
| MSCSM120HM16CT3AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 350A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 745W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
| MSCSM120HM16CT3AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 350A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 745W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC |
товар відсутній |