MSCSM120HM31CT3AG Microchip Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14769.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120HM31CT3AG Microchip Technology
Description: SIC 4N-CH 1200V 89A SP3F, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 395W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: SP3F, Part Status: Active.
Інші пропозиції MSCSM120HM31CT3AG за ціною від 19299.38 грн до 23564.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSCSM120HM31CT3AG | Microchip Technology |
Description: SIC 4N-CH 1200V 89A SP3F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 395W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SP3F Part Status: Active |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
MSCSM120HM31CT3AG | Microchip Technology / Atmel |
 Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F |
на замовлення 3 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| MSCSM120HM31CT3AG |
Виробник: Microchip Technology
Description: SIC 4N-CH 1200V 89A SP3F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 395W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SP3F
Part Status: Active
Description: SIC 4N-CH 1200V 89A SP3F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 395W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SP3F
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 19299.38 грн |
| MSCSM120HM31CT3AG |
|
Виробник: Microchip Technology / Atmel
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 23564.02 грн |