MSCSM120HM50CT3AG Microchip Technology
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10151.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120HM50CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 44A; SP3F; Press-in PCB; 245W, Case: SP3F, Electrical mounting: Press-in PCB, On-state resistance: 50mΩ, Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Drain current: 44A, Pulsed drain current: 110A, Power dissipation: 245W, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Mechanical mounting: screw, Technology: SiC, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSCSM120HM50CT3AG за ціною від 11224.10 грн до 16195.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MSCSM120HM50CT3AG | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
 Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
.jpg "MSCSM120HM50CT3AG") |
MSCSM120HM50CT3AG | Виробник : Microchip Technology |
Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| MSCSM120HM50CT3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 44A; SP3F; Press-in PCB; 245W Case: SP3F Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 50mΩ Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Drain current: 44A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 245W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Mechanical mounting: screw Technology: SiC Semiconductor structure: SiC diode/transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| MSCSM120HM50CT3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 44A; SP3F; Press-in PCB; 245W Case: SP3F Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 50mΩ Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Drain current: 44A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 245W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Mechanical mounting: screw Technology: SiC Semiconductor structure: SiC diode/transistor |
товару немає в наявності |