MSCSM120SKM11CT3AG Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: 1 Phase
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Part Status: Active
Current: 254 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12949.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120SKM11CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB, Topology: buck chopper; NTC thermistor, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Technology: SiC, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Case: SP3F, On-state resistance: 10.4mΩ, Drain current: 202A, Pulsed drain current: 500A, Power dissipation: 1067W, Drain-source voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSCSM120SKM11CT3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MSCSM120SKM11CT3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB Topology: buck chopper; NTC thermistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: SiC Semiconductor structure: SiC diode/transistor Case: SP3F On-state resistance: 10.4mΩ Drain current: 202A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 1067W Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
MSCSM120SKM11CT3AG | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F |
товару немає в наявності |
|
| MSCSM120SKM11CT3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB Topology: buck chopper; NTC thermistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: SiC Semiconductor structure: SiC diode/transistor Case: SP3F On-state resistance: 10.4mΩ Drain current: 202A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 1067W Drain-source voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |