MSCSM120SKM11CT3AG Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: 1 Phase
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Part Status: Active
Current: 254 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 16684.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120SKM11CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB, Case: SP3F, Topology: buck chopper; NTC thermistor, Pulsed drain current: 500A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 202A, On-state resistance: 10.4mΩ, Power dissipation: 1067W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSCSM120SKM11CT3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MSCSM120SKM11CT3AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Topology: buck chopper; NTC thermistor Pulsed drain current: 500A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 202A On-state resistance: 10.4mΩ Power dissipation: 1067W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
MSCSM120SKM11CT3AG | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F |
товар відсутній |
|
| MSCSM120SKM11CT3AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Topology: buck chopper; NTC thermistor Pulsed drain current: 500A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 202A On-state resistance: 10.4mΩ Power dissipation: 1067W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC |
товар відсутній |