MSCSM120SKM31CTBL1NG Microchip Technology
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9697.02 грн |
| 100+ | 7101.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120SKM31CTBL1NG Microchip Technology
Description: PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 310W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSCSM120SKM31CTBL1NG за ціною від 6060.89 грн до 6060.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSCSM120SKM31CTBL1NG | Виробник : Microchip Technology |
 Description: PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 310W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|