MSCSM120TAM11CTPAG Microchip Technology
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 81133.04 грн |
| 25+ | 77953.94 грн |
| 100+ | 61341.98 грн |
| 250+ | 60990.67 грн |
| 500+ | 59951.97 грн |
| 1000+ | 59942.82 грн |
| 5000+ | 59928.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120TAM11CTPAG Microchip Technology
Description: SIC 6N-CH 1200V 251A SP6-P, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 1.042kW (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 251A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9060pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 120A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 696nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA, Supplier Device Package: SP6-P, Part Status: Active.
Інші пропозиції MSCSM120TAM11CTPAG за ціною від 84188.75 грн до 84188.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSCSM120TAM11CTPAG | Виробник : Microchip Technology |
 Description: SIC 6N-CH 1200V 251A SP6-PPackaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1.042kW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 251A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9060pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 120A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 696nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA Supplier Device Package: SP6-P Part Status: Active |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| MSCSM120TAM11CTPAG | Виробник : Microchip Technology |
Triple Phase Leg Sic Mosfet Power Module |
товару немає в наявності |
||||||
| MSCSM120TAM11CTPAG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 200A; SP6P; Press-in PCB Case: SP6P Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 10.4mΩ Topology: MOSFET half-bridge x3 + parrallel diodes; NTC thermistor Drain current: 200A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 1042W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Mechanical mounting: screw Technology: SiC Semiconductor structure: SiC diode/transistor |
товару немає в наявності |