MSCSM170AM23CT1AG Microchip Technology


00003933a.pdf Виробник: Microchip Technology
Phase Leg SiC MOSFET Power Module
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSCSM170AM23CT1AG Microchip Technology

Description: SIC 2N-CH 1700V 124A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N Channel (Phase Leg), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 602W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 60A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 356nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 5mA, Part Status: Active.

Інші пропозиції MSCSM170AM23CT1AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MSCSM170AM23CT1AG MSCSM170AM23CT1AG Виробник : Microchip Technology 00003933A.pdf Description: SIC 2N-CH 1700V 124A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 602W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 60A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 356nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 5mA
Part Status: Active
товар відсутній
MSCSM170AM23CT1AG Виробник : Microchip Technology 00003933A-2525185.pdf Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F
товар відсутній